6月6日消息，据报道，台积电已经开始为试产2nM工艺做准备。
2nM工艺是台积电的一个重大节点，将采用纳米片晶体管（Nanosheet）取代鳍式场效应晶体管（FinFET），这意味着该公司工艺正式进入GAA晶体管时代。
与3nM芯片相比，在相同功耗下，2nM芯片的速度快10%-15%；在相同速度下，功耗降低25%-30%。
此前，该公司宣布，计划到2025年大规模生产2nM芯片。今年4月份，供应链消息称，该公司的2nM工艺将在2025年下半年在新竹市宝山乡进入量产。
消息来源也称，今年，一条小规模试产线的目标是生产1000片晶圆，2024年将进行风险试产，2025年将进行大规模生产。
消息人士表示，台积电已派遣工程师和支持人员前往竹科宝山研发工厂，为2nM工艺试产做准备。该公司计划组建一支由1000多名专家组成的专门研发团队，率先在竹科宝山晶圆20厂进行大规模生产。
在2nM工艺实现量产后，苹果和英伟达预计将成为首批客户，给三星等竞争对手带来巨大压力。
台积电的2nM计划可能使其与三星展开正面竞争。据悉，三星击败了台积电，成为第一家广泛采用3nM工艺的芯片制造商。去年，该公司也宣布，预计到2025年量产2nM芯片。
