11 月 8 日消息，在消费级存储市场低迷的背景下，高带宽存储器（HBM）技术已成为新的驱动力，最新报告指出三星和美光两家公司正积极筹备扩张 HBM DRAM。
最新报道称三星电子耗资 105 亿韩元，收购了三星显示位于韩国天安市的某些工厂和设备，以扩大 HBM 产能。三星电子还计划再投资 7000 亿至 1 万亿韩元，用于新建新的封装线。
此前报道，三星电子副总裁兼 DRAM 产品和技术团队负责人 Hwang Sang-jun 先生透露，三星已开发出速度为 9.8Gbps 的 HBM3E，并计划开始向客户提供样品。
三星正在开发 HBM4，目标是到 2025 年推出。据悉，三星电子正在积极开发 HBM4 的各种技术，包括针对高温热特性和混合键合 （HCB） 优化的非导电胶膜 （NCF） 组装技术等。
美光也在积极筹备 HBM 生产，于 11 月 6 日在台中开设了新工厂。美光表示，这个新设施将集成先进的测试和封装功能，并将致力大规模生产 HBM3E 以及其他产品。此次扩展旨在满足人工智能、数据中心、边缘计算和云服务等各种应用日益增长的需求。
美光首席执行官 Sanjay MehRotRa 透露，该公司计划在 2024 年初开始大量出货 HBM3E。美光的 HBM3E 技术目前正在接受 NVIDIA 的认证。最初的 HBM3E 产品将采用 8-Hi 堆栈设计，容量为 24GB，带宽超过 1.2TB / s。
此外，美光计划在 2024 年推出更大容量的 36GB 12-Hi 堆栈 HBM3E。在早些时候的一份声明中，美光曾预计，到 2024 年，新的 HBM 技术将贡献“数亿美元”的收入。
