三星否认其HBM内存芯片未通过英伟达测试

三星电子最新的高带宽内存（HBM）芯片尚未通过英伟达测试，有消息称公司的芯片因发热和功耗问题受到影响。

韩媒BUSineSS KoRea报道称，三星电子发布声明否认了相关报道，声称正在与多家全球合作伙伴进行HBM芯片测试，同时强调与其他商业伙伴持续合作以确保产品质量和可靠性。

三星最近开始批量生产第五代HBM芯片24GB/36GB的HBM3E产品。在已量产的HBM3E上，三星未采用1b nM制程DRAM裸片，而是仍使用1a nM颗粒，在能耗方面处于劣势。这导致一些分析师怀疑三星是否有能力从SK海力士处迅速夺回市场份额。