我国中科院院士王阳元曾和同事钻研 8 年从此换来中国集成电路的突破，后又带领上百名专家一举打破西方封锁。
没有设备和技术，就靠实践学习，每个人都为这个奉献力量；人等片子，芯片到人到，不管几点，立刻开工没有任何怨言。
正如 86 岁的他用一生践行在入党申请书写下的初心。
谈及此事，他还喊出了“生逢盛世，肩负重任，我没有虚度年华&Rdquo;“科学无国界，但科学家有祖国&Rdquo;的伟大口号。
王阳元生于 1935 年 1 月 1 日的浙江宁波，是我国微纳电子科学家、教育家，中国科学院院士，北京大学教授、博士生导师，北京大学微电子学研究院院长，北京大学微电子学系主任。
他于于 1958 年从北京大学物理系毕业，1986 年担任北京大学微电子学研究所所长，1995 年当选为中国科学院院士，成功主持并参与研究了硅栅 N 沟道技术和中国第一块 1024 位 MOS DRAM（MOS：金属氧化物半导体）的研发，推动 MOS 集成电路技术的发展。
此外，他还在国际上提出了多晶硅薄膜氧化动力学新模型和应用方程以及与同事合作提出了 MOS 绝缘层中可动离子和电荷陷阱新的测量方法，率先开发成功多晶硅发射极超高速集成电路技术，推动中国双极集成电路技术发展。
他还创建了 SOI（绝缘衬底上的硅 Silicon-On-InsulaTor）新器件研究室等机构，主持建设了中国第一个国家级微米/纳米加工技术重点实验室。在 SOI 新器件与电路和 MEMS 系统等领域均有重大建树。
