6月29日晚间消息，据外媒报道，三星宣布，3nM制程技术已经正式流片。据介绍，三星的3nM制程采用的是GAA架构，性能优于台积电的3nM FinFET架构。
报道称，三星在3nM制程的流片进度是与新思科技合作完成的，目的在于加速为GAA架构的生产流程提供高度优化的参考方法。因为三星的3nM制程采用不同于台积电或英特尔所采用的FinFET的架构，而是采用GAA的结构。因此，三星采用了新思科技的FUSion design platform。
在技术性能上，GAA架构的晶体管能够提供比FinFET更好的静电特性，可满足某些栅极宽度的需求。而这主要表现在同等尺寸结构下，GAA的沟道控制能力得以强化，借此给予尺寸进一步微缩提供了可能性。
此次流片是由SynopsYs和三星代工厂合作完成的。此前，三星曾在2020年完成3nM工艺的开发，但开发成功并不意味着，不过那并不意味着三星的产品最终进入量产的时间可以确定。伴随着此次成功流片，三星3nM芯片大规模量产的时间节点已经正式临近。
