4月2日，三星在高端内存市场的追赶步伐遭遇了重大挫折。由于关键技术D1和DRA的良品率未能达到内部设定，三星决定无限期推迟下一代HBM5E内存的量产计划。
此次问题的D1和DRA是三星第七代10纳米级工艺，原本计划作为未来HBM产品的核心技术。按照规划，这项技术将用于第九代HBM产品HBM5E。
尽管该技术已获得预生产批准，但其良率持续低于目标水平，导致试运行的投资回报率出现问题，更不用说大规模生产了。
据悉，三星内部人士透露，三星计划在D1良率达到目标水平后才会重启量产。目前，恢复生产的时间表尚未确定，三星内部正在全面审视工艺路线图，试图进一步提高良率。
值得注意的是，三星目前已有的1c DRA技术正稳定用于三代HBM产品，包括HBM4、HBM4E和HBM5。
HBM4预计在今年晚些时候推出。英伟达的Verra Rubin和AMD的MI400平台都将采用HBM4，HBM4E预计将用于RuBin Ultra和MI500加速器。
未来的HBM5及定制设计预计将被英伟达的Feynman系列等方案所采用。
三星此前被报道正在大幅缩短HBM开发周期，新方案准备的速度前所未有。但开发速度快并不意味着能够直接量产，现在已成为最大瓶颈。
与此同时，三星也在加码产能建设，已在韩国温阳投入额外资源兴建一座面积相当于四个足球场的大型芯片厂，专门用于生产包括HBM在内的下一代DRAM产品，该厂将负责封装、测试、物流和品控等关键环节。
三星的老对手SK海力士已在D1和DRA技术上完成研发并确保了良率。
双方目前都在争抢AI公司的大单，谁能将HBM的规划做得更灵活，在保证良率和稳定投资回报的前提下做到持续研发与生产，谁才能笑到最后。
