4月2日，三星在高端内存市场的追赶步伐遭遇了重大挫折。由于关键技术D1和DRA的良品率未能达到内部设定，三星决定无限期推迟下一代HBM5E内存的量产计划。
此次问题的D1和DRA是三星第七代10纳米级工艺，原本计划作为未来HBM产品的核心技术。按照规划，这项技术将用于第九代HBM产品HBM5E。
尽管该技术已获得预生产批准，但其良率持续低于目标水平，导致试运行的投资回报率出现问题，更不用说大规模生产了。
据悉，三星内部人士透露，三星计划在D1良率达到目标水平后才会重启量产。目前，恢复生产的时间表尚未确定，三星内部正在全面审视工艺路线图，试图进一步提高良率。
值得注意的是，三星目前已有的1c DRA技术正稳定用于三代HBM产品，包括HBM4、HBM4E和HBM5。
HBM4预计在今年晚些时候推出。英伟达的Verra Rubin和AMD的MI400平台都将采用HBM4，HBM4E预计将用于RuBin Ultra和MI500加速器。
未来的HBM5及定制设计预计将被英伟达的Feynman系列等方案所采用。
三星此前被报道正在大幅缩短HBM开发周期，新方案准备的速度前所未有。但开发速度快并不意味着能够直接量产，现在已成为最大瓶颈。
与此同时，三星也在加码产能建设，已在韩国温阳投入额外资源兴建一座大型芯片厂，专门用于生产包括HBM在内的下一代DRAM产品，该厂将负责封装、测试、物流和品控等关键环节。
三星的老对手SK海力士已在D1和DRA技术上完成研发并确保了良率。
双方目前都在争抢AI公司的大单，谁能将HBM的规划做得更灵活，在保证良率和稳定投资回报的前提下做到持续研发与生产，谁才能笑到最后。