在2021年时，英特尔公司CEO帕特•基辛格曾表示：“基于英特尔在先进封装领域毋庸置疑的领先性，我们正在加快制程工艺创新的路线图，以确保到2025年制程性能再度领先业界。”而在最近，英特尔更新了制程路线图，包括Intel 14A制程技术、专业节点的演化版本，及全新的英特尔代工先进系统封装及测试（Intel FoundRy Advanced system ASSeMbly and test）能力。那么英特尔的翻盘时间要到了吗？
英特尔在本次更新的路线图中新增了Intel 14A和数个专业节点的演化版本。英特尔还证实，其“四年五个制程节点”路线图仍在稳步推进，并将在业内率先提供背面供电解决方案。英特尔预计将于2025年通过Intel 18A制程节点重获制程领先性。
对于演化版本，其型号后缀一般包含“E”、“P”或者“T”。其中：
E代表功能扩展（FeatuRe Extension）
P代表性能提升（performance IMProveMent）
T代表用于3D堆叠的硅通孔技术（ThRough-Silicon Vias）
此外，英特尔代工还宣布将FCBGA 2D+纳入英特尔代工先进系统封装及测试（Intel FoundRy ASAT）的技术组合之中。这一组合将包括FCBGA 2D、FCBGA 2D+、EMIB、FOVeRos和FOVeRos DiRect技术。
FCBGA 2D/2D+：倒装芯片球栅阵列（FC-BGA）是比较成熟的封装工艺，英特尔自2016年就进入大批量生产阶段（HVM）。拥有最大的先进热压缩键合（TCB）工具和设备库，具有很好的良率表现；
EMIB 2.5D：嵌入式多芯片互联桥接（EMIB）技术是一种埋入传统有机衬底的2.5D封装工艺，适合逻辑-逻辑芯片或逻辑-HBM存储芯片的互联封装，2017年开始批量生产；
FOVeRos 2.5D &aMp; 3D：FOVeRos是一种裸片堆叠封装技术，适合PC和边缘处理器芯片的封装设计，2019年开始量产；
EMIB 3.5D：结合EMIB和FOVeRos（即原来的Co-EMIB），适合多个裸片的3D堆叠封装，Intel数据中心GPU Max系列SoC即采用这种3.5D封装；
FOVeRos DiRect 3D： FOVeRos DiRect使用了铜与铜的混合键合取代了会影响数据传输速度的焊接，把凸点间距继续降低到10微米以下大幅提高芯片互连密度和带宽，并降低电阻。FOVeRos DiRect还实现了功能单元分区，让模块化设计做到配置灵活、可定制。
通过这次更新的制程路线图，我们不难看出英特尔非常重视先进封装。那么先进封装为什么重要？
虽然封装最开始的作用只是防水、防尘和散热，但随着制程技术逐渐逼近物理极限，它的地位已经完全不同。
为了满足越来越高、越来越复杂的算力需求，同时提高能效比，追求可持续发展，先进封装在芯片制造中的作用正变得越来越关键。先进封装技术一方面能够提升芯片互连密度，在单个封装中集成更多功能单元。另一方面，也将支持英特尔的产品部门和代工客户的异构集成需求，让来自不同供应商、用不同制程节点打造的芯粒（小型的模块化芯片）更好地协同工作，提高灵活性和性能，降低成本和功耗。目前英特尔的先进封装有两大支柱，分别是EMIB和FOVeRos。
EMIB简单来说就是把不同的芯片放在同一块平面上相互连接。传统的2.5D封装是在芯片和基板间的硅中介层上进行布线，EMIB则是通过一个嵌入基板内部的单独的芯片完成互连，从而将芯片互连的凸点间距降低到45微米，改善了设计的简易性和成本。
FOVeRos是英特尔的3D封装技术，在原理上同样并不复杂，就是在垂直层面一层一层地堆叠独立的模块，就像建高楼大厦一样。而高楼需要贯通的管道用于供电供水，FOVeRos就是通过复杂的硅通孔技术实现垂直层面的互连。
按照英特尔制程路线图上的时间表来看，英特尔会在2025年通过Intel 18A“翻盘”。但是制程路线图上的时间表只是“工艺的时间表”，而不是产品落地的时间表。英特尔具体能否翻盘还是要看采用相关工艺的产品何时落地。
在消费级领域，英特尔于2023年10月发布了英特尔酷睿第14代台式机处理器。英特尔酷睿第14代处理器的“主要工艺”是Intel 7。
英特尔于2023年12月发布了产品代号为MeteoR Lake的英特尔酷睿UltRa处理器。英特尔酷睿UltRa处理器的“主要工艺”是Intel 4。
而在服务器领域，英特尔于2023年12月发布了第五代英特尔至强可扩展处理器，第五代英特尔至强可扩展处理器的“主要工艺”是Intel 7。
由此可见，工艺时间表和产品落地的时间表之间存在着一定的延迟。