群联电子于近日宣布推出全系列UFS芯片，涵盖入门、中阶到旗舰款手机，打造行动储存的极致效能。
随着手机使用者对于效能的追求，越来越多的5G入门款机种的储存装置已从eMMC转换到UFS 2.2储存装置，甚至4G手机旗舰机种也开始采用UFS 2.2规格。相较于eMMC的半双工模式，UFS 2.2的全双工模式大幅增加了三倍的读取速度，不仅可以应付需要处理大量数据的手机功能，UFS更可以在与eMMC相同效能速度比较的前提下，耗用较低的电量，有助于改善手机与平板计算机之续航力，同时满足行动装置的高性能与低耗电的需求。
有鉴于此趋势，群联推出史上最高性价比之UFS 2.2控制芯片PS8327来满足日益上升的高速行动储存需求。采用22奈米制程工艺，PS8327是一款尺寸最小的UFS 2.2控制芯片，能在单信道且搭配低容量64GB储存容量的条件下达到UFS 2.2极速1000MB/s，为行动装置同时带来成本、性能、低功耗等多重优势。
此外，PS8327采用了群联自主研发的第六代LDPC ECC引擎，拥有更可靠且更强大的纠错更正能力，不仅可以完美地支持多家NAND原厂的现有NAND产品规格，未来也将支持即将上市的新世代NAND产品规格。
群联电子执行长潘健成表示，群联在UFS领域上已耕耘超过十年的研发经验，在控制芯片的研发、验证与技术能力上，有非常深厚的基础。UFS 2.2 PS8327控制芯片作为群联集十多年UFS研发技术之大成，再加上群联已有数十个UFS储存方案通过三大手机芯片供货商验证的成果与经验，让PS8327控制芯片一推出就获得多家NAND原厂指定采用，预期搭载群联PS8327 UFS储存解决方案的行动设备在市场中也将极具竞争力。
包含PS8327，群联今年一口气推出共四款UFS控制芯片，全面升级了UFS产品线的竞争力；涵盖入门、中阶到旗舰款手机，都有对应的最佳UFS储存方案，将消费者所有的需求一网打尽。
UFS 3.1 PS8325: 锁定高阶手机。搭载TSMC 12奈米制程加上双通道的设计，可以支持各原厂最新1Tb NAND，用最少的NAND颗粒，达到总容量1TB，具备高容量且低成本的优势。此外，配置群联自主研发的4KB LDPC纠错引擎，拥有先进且强大的ECC纠错能力，能大幅提升手机内存的稳定性和使用寿命。目前PS8325已获得许多国际一线手机厂的design win设计导入，预计将于今年第一季开始大量供货。
UFS 3.1 PS8329: 聚焦追求高性价比的中阶手机市场。采用22奈米制程工艺，PS8329是市场上同规格产品中最小尺寸的UFS 3.1控制芯片，且可透过单信道规格实现最高读写速度超过2000MB/s，另外4K LDPC ECC纠错引擎提供次世代 NAND Flash 最优异的兼容性与效能，是一款极具竞争力的UFS 3.1储存方案。PS8329计划于今年六月份开始送样。
UFS 4.0 PS8361:瞄准最高规格的旗舰手机市场。搭载TSMC 12奈米与四通道的设计，PS8361的最高读写速度将可超过4000MB/s ，是UFS 3.1的两倍效能，将能满足各种高速数据传输、app快速启动、多任务处理等功能要求，大幅缩短应用程序加载的等待时间，带给消费者最极致顺畅的体验。与此同时，PS8361在每单位MA的读取性能提升下，将能有效延长行动装置的电池使用效率。目前PS8361已获NAND原厂指定采用，并预计于今年下半年开始供货。
