1 月 28 日消息，据京东方宣布，已在氧化物半导体显示技术领域取得重要突破，攻克了铜（Cu）易扩散、易氧化和易钻刻等业界难题，在业内率先实现铜互连堆叠结构的量产，及高刷新率、高分辨率、低功耗氧化物显示技术集成，打破了国外垄断，在行业内持续推出低功耗、超窄边、500Hz + 电竞显示屏、超大尺寸 8K Oxide 120Hz、可变频刷新率显示等一系列高端技术和产品。同时在高迁移率 30+cM2/Vs 氧化物技术研发方面也有很大突破，为后续高端产品的性能提升奠定了技术基础。
▲ 京东方 13.3 英寸氧化物 Full In Cell UHD 超窄边框显示屏
氧化物半导体显示技术具备迁移率高、关态电流低、制程工艺简单、可大尺寸化等优点，能够满足未来产品高品质提升和降低能耗的双重需求。然而，在氧化物技术产业化应用上，传统的氧化物薄膜微结构在偏压应力、光照、大电流下器件性能衰减等不稳定性问题，以及铜工艺与氧化物工艺匹配问题，是亟待半导体显示业界解决的普遍难题。
京东方研发出铜扩散阻挡技术，提出独有的氮氧平衡理论、界面修复理论，同时产学研联合，在材料、器件结构和原理上均实现了突破，解决了氧化物半导体显示技术的量产难题，在国内率先实现量产。同时集成栅驱动电路嵌入阵列基板、触控驱动的集成化技术、高透过率的薄膜光学模型等，既实现了产品性能提升，又实现了从传统非晶硅 TFT 向氧化物导体显示的技术升级。
京东方新型氧化物半导体显示技术的突破主要体现四个方面：
01 材料及器件
京东方通过设计独有的铜互连叠层布线氧化物新型堆叠结构，攻克了 Cu 易扩散、易氧化和易钻刻等业界难题。掌握了自主高量产性的 Cu 缓冲层技术，在业内率先实现铜互连堆叠结构的氧化物量产，并在京东方合肥、重庆、南京、成都等六条量产线实现规模化量产。
02 独创性理论
京东方率先提出氮氧平衡理论和界面修复理论，实现了氧化物特性和良率可控。通过氧化物器件中的氮氧缺陷（DNO）控制和有源层界面刻蚀修复技术，解决了由于沟道界面氧空位（Vo）缺陷和掺杂缺陷引起的 Vth 负偏问题，亮点不良发生率大幅降低。
03 显示性能
京东方提出了栅极驱动电路集成模型，首次使用直流去噪模式，功耗降低 15% ，信赖性提升 400%，并引入整体复位信号，解决了 GOA 末行失效问题。在量产产品中首次提出并应用 TFT 散热设计，GOA 寿命提升一倍以上，实现了全尺寸氧化物产品覆盖。
04 功能集成
设计高透叠层模型和高透动态补偿柱状隔垫物方案、开发源极驱动信号多路转化技术（MUX）、氧化物触控集成（Oxide Full In Cell）技术和智能同步驱动（SMaRt Sync DRiving）充电补偿方案，实现了高刷新率、高分辨率氧化物显示技术集成，在业内率先实现了 110 英寸 8K 120Hz 氧化物 GOA 量产。
京东方在半导体氧化物显示技术在量产产品形态上的分布，从手机产品到超大的 110 英寸的电视产品，从 10 Hz 的低频驱动产品到 500Hz + 的高频驱动产品，从非触屏到集成度更高的 Full In Cell 触屏技术，基本实现了主流市场产品的全覆盖。