10月20日消息，MicRon technology Inc.宣布已将业界领先的1β制程技术应用于16Gb容量版本的 DDR5内存。美光1β DDR5 DRAM在系统内的速率高达7,200 MT/s，现已面向数据中心及PC市场的所有客户出货。基于1β节点的美光DDR5内存采用先进的High-K CMOS器件工艺、四相时钟和时钟同步技术，性能提升高达50%，每瓦性能提升33%。
随着CPU内核数量的不断增加以满足数据中心工作负载需求，系统对更高的内存带宽与容量的需求也显著增长，从而在应对“内存墙”挑战的同时优化客户的总体拥有成本。美光1β DDR5 DRAM支持计算能力向更高的性能扩展，能支持数据中心和客户端平台上的人工智能训练和推理、生成式AI、数据分析和内存数据库等应用。全新1β DDR5 DRAM产品线提供速率从4,800 MT/s到7,200 MT/s的现有模块密度，能够满足数据中心和客户端的应用需求。
美光核心计算设计工程部门企业副总裁BRian Callaway表示：“面向客户端和数据中心平台的1β DDR5 DRAM量产及出货，标志着行业的一个重要里程碑。我们与生态系统合作伙伴及客户紧密合作，将推动高性能内存产品的市场普及。”
美光的1β技术已应用至公司广泛的内存解决方案，包括采用16Gb、24Gb和32Gb DRAM裸片的DDR5 RDIMM和MCRDIMM；采用16Gb和24Gb DRAM裸片的LPDDR5X；HBM3E和GDDR7。全新的美光16Gb DDR5内存将通过直销及渠道合作伙伴供货。