国星光电正式推出一系列第三代半导体新产品，新产品可以分为3大产品系列，包括：SiC功率器件、GaN-DFN器件、功率模块。
国星光电SiC功率器件小而轻便，反向恢复快、抗浪涌能力强、雪崩耐压高，拥有优越的性能与极高的工作效率。目前该领域已形成了2条SiC功率器件拳头产品线：SiC-MOSFET、SiC-SBD；拥有4种封装结构（TO-247、TO-220、TO-263、TO-252）；可广泛应用于大功率电源、充电桩等工业领域。
国星光电的GaN-DFN器件具有更高的临界电场、出色导通电阻、更低的电容等优势，使其尤适用于功率半导体器件，降低节能和系统总成本的同时，工作频率更高，具有极高的功率密度和系统效率，可极大地提升充电器、开关电源等应用的充电效率，广泛应用于新能源汽车充电、手机快充等。
国星光电第三代半导体功率模块，采用自主创新的架构及双面高效散热设计，具有优越的电性能和热性能，杂散电感低、转换效率高、轻载损耗小等优势，其功率密度大，产品体型小，可广泛应用于各种变频器、逆变器的工业领域，满足系统开发人员对空间的严格要求。模块产品可根据特殊功能需求进行模块化定制开发。
据悉佛山市国星光电股份有限公司是广东广晟旗下专业从事研发、生产、销售LED及LED应用产品的国家高新技术企业，国星光电建于1969年，1976年开始涉足LED封装，是国内最早生产LED的企业之一，国内第一家以LED为主业首发上市的企业，国内率先实现LED全产业链整合的企业，也是国内最大的LED生产制造企业之一，也是全球LED封装行业龙头企业之一。近年，公司位列全球LED封装企业营收TOP8。
