盛美半导体设备近日宣布，为其300MM UltRa Fn立式炉干法工艺设备产品系列增加了新的半导体制造工艺，包括非掺杂的多晶硅沉积、掺杂的多晶硅沉积、栅极氧化物沉积、高温氧化和高温退火。这些新技术将在SEMICON CHina 2021展示。
盛美先前发布了应用于氧化物、氮化硅低压化学气相沉积和合金退火工艺的立式炉系统，现在基于这一平台开发了新功能。支持这些应用的设备将在2021年上半年交付给客户。
盛美半导体设备董事长王晖表示：“我们的战略是寻找具有高增长潜力的市场和应用，并与客户合作开发先进技术解决问题。现在，我们能够进行80%以上的批式热工艺，包括用于SiN、HTO的LPCVD工艺，非掺杂多晶硅和掺杂多晶硅沉积，栅极氧化物沉积工艺，高达1200摄氏度的超高温氧化和退火工艺。这一新产品线的迅速导入，也进一步证明了与核心客户合作战略的成功。”
UltRa Fn系统设计旨在满足客户需求，随着半导体器件体积缩小和复杂度增加，对热工艺的温度控制提出了高要求。为了满足这些要求，UltRa Fn加热器开发了独有的控制算法，保证温度控制稳定性。
盛美对UltRa Fn设备进行了功能扩展，只需部分更改即可适用于新工艺应用。系统设计与现有氧化物、氮化物沉积系统大部分硬件通用，降低总成本。系统可便捷更换组件，实现定制化工艺需求。
盛美已交付SiN LPCVD和微托级超高真空功能的合金退火工艺立式炉设备，并开始测试其他新功能设备，预计2021年内取得验证结果。
