意法半导体宣布，ST瑞典北雪平工厂制造出首批200MM碳化硅(SiC)晶圆片，用于生产下一代电力电子芯片的产品原型。SiC晶圆升级到200MM标志着ST面向汽车和工业客户的扩产计划取得重要的阶段性成功，巩固了ST在这一技术领域的领导地位。
意法半导体的首批200MM SiC晶圆片质量优秀，缺陷非常少。取得低缺陷率离不开意法半导体碳化硅公司在SiC硅锭生长技术开发方面的积累和沉淀。SiC晶圆升级到200MM还需要对制造设备和生态系统进行升级更换。
意法半导体先进的量产碳化硅产品STPOWER SiC目前是在卡塔尼亚（意大利）和宏茂桥（新加坡）两家150MM晶圆厂完成前工序制造，后工序制造是在深圳（中国）和布斯库拉（摩洛哥）的两家封测厂进行的。
意法半导体汽车和分立器件产品部总裁MaRco Monti表示：“SiC晶圆升级到200MM将会给我们的汽车和工业客户带来巨大好处。提升规模经济效益是很重要的。积累深厚的专业知识，可以提高制造灵活性，更有效地控制晶圆片的良率和质量改进。
碳化硅是一种化合物半导体材料，在电动汽车和工业制造过程等重要的电力应用领域，与硅材料相比，碳化硅的本征特性可提供更高的性能和能效。ST在SiC领域的领先地位归功于25年的专注和研发投入，拥有70多项专利。这项技术可以实现更高效的电能转换，更小更轻量化的设计，节省更多的系统设计总体成本。
