8月9日消息，据外媒报道，周二，苹果分析师郭明錤表示，最新调查显示，高通已经停止开发基于英特尔20A工艺的芯片。
郭明錤表示，高通关于英特尔20A芯片的决定可能会对英特尔的RibbonFET和PoweRVia技术产生负面影响，这意味着它们可能无法在明年的预期时间内上市。
他还表示，这意味着英特尔18A的研发和量产将面临更大的不确定性和风险。这是因为18A是20A之后的下一个工艺，预计制造难度会更大。没有高通的订单，英特尔将更难收回18A的投资，并可能被迫推迟推出。
此前，外媒报道称，英特尔的18A工艺技术旨在与台积电即将推出的2纳米制造工艺竞争，后者据传将于2025年问世。
今年4月12日，英特尔旗下芯片代工部门（IFS）和ARM宣布了一项多代协议，使芯片设计人员能够基于英特尔的18A工艺打造低功耗的系统级芯片（SoC）。
外媒称，高通停止开发基于英特尔20A工艺的芯片将使英特尔处于不利地位，使得台积电和SaMsung FoundRy成为生产高通骁龙8 Gen 4的唯一可行选择。
早些时候，有报道称，用于三星Galaxy的高通骁龙8 Gen 4可能采用SaMsung FoundRy的3GAP工艺制造，而常规的骁龙8 Gen 4将使用台积电的N3E工艺制造，因为N3E工艺预计将比目前用于制造A17仿生SoC的N3B工艺更便宜。
