8月3日消息，据国外媒体报道，韩国芯片制造商SK海力士宣布，它已开发出238层NAND闪存芯片。该公司表示，这款芯片是最小的NAND闪存芯片，数据传输速度与上一代芯片相比提升50%，读取数据消耗的能量降低21%，将用于PC存储设备、智能手机和服务器，计划在2023年上半年开始批量生产。去年12月30日，SK海力士宣布完成收购英特尔NAND闪存及SSD业务的第一阶段。这笔收购交易的第二阶段预计将在2025年3月及之后进行，届时SK海力士将向英特尔支付余下的20亿美元。
据悉，英特尔出售给SK海力士的相关资产交由后者新设立的子公司SolidigM管理。由于全球经济的不确定性正在抑制消费者对电子产品的购买力，SK海力士在7月下旬宣布，将无限期推迟投资33亿美元新建存储芯片工厂的扩张计划。SK海力士决定推迟扩建的工厂是该公司此前决定在清州园区建设的M17存储芯片工厂，该工厂原本计划于2023年晚些时候开工建设，预计最早于2025年完工。外媒报道称，该公司之所以决定推迟扩建计划，可能是由于成本上升以及市场对芯片的需求放缓等问题。
