新思科技（SynopsYs）宣布，其designWaRe IP核解决方案协助20多家领先半导体公司在台积电N5制程上实现一次性流片成功。这些客户选择designWaRe IP核解决方案，以满足面向先进汽车高级辅助驾驶系统和信息娱乐、AI加速器、服务器、网络和移动等系统级芯片设计所需的严格功耗、性能和面积要求。
台积电设计基础设施管理事业部副总经理Suk Lee表示：台积电与新思科技长期密切合作，让共同客户受益于台积电先进制程技术和新思科技的广泛高质量IP核组合的强强联合。新思科技面向台积电N5制程的designWaRe IP核优于同类的先进晶圆厂解决方案，可协助开发者实现理想PPA、快速交付差异化产品并实现量产，同时获得N5先进制程所带来的全部优势。
新思科技IP核营销和战略高级副总裁John KoeteR表示：数十年来，新思科技一直与台积电通力合作，提供功能丰富的硅验证IP核，协助开发者采用台积电N5和N3等先进制程技术以满足汽车、高性能计算和AI设计等应用的数据密集型需求。众多客户在台积电N5制程上广泛采用新思科技的designWaRe IP核组合，充分彰显了客户对新思科技IP核的持续信任，能够协助他们降低整合风险并加速将产品推向市场。
新思科技广泛的designWaRe IP核组合包括逻辑库、嵌入式存储器、IO、PVT监视器、嵌入式测试、模拟IP、接口IP、安全IP、嵌入式处理器和子系统。为加速原型设计、软件开发以及将IP核整合进芯片，新思科技IP AcceleRated计划提供IP原型设计套件、IP软件开发套件和IP核子系统。我们对IP质量的广泛投资、全面的技术支持可使开发者降低整合风险，并加快上市时间。
供货情况和资源
*目前可提供以下面向台积电N5制程的designWaRe IP核：eUSB2、USB 2.0、USB 3.1、USB-C 3.1、USB-C 3.1/DP、PCIe 3.0/5.0、112G Ethernet、HBI Die-to-Die、LPDDR5/4/4X、DDR5/4、HBM2E、MIPI C-PHY/D-PHY、Multi-Protocol 32G PHY、逻辑库、嵌入式存储器、片内传感和PVT监控
*2021年下半年可提供以下面向台积电N5制程的designWaRe IP核：USB-C 3.2、USB 4.0、PCIe 4.0、112G USR/XSR Die-to-Die、Multi-PRotocol 16G PHY、HDMI 2.1、DisplayPort、MIPI M-PHY
