不久前官方宣布，RealMe将于7月12日正式推出全新的年度质感旗舰—真我GT2大师探索版，该机将由日本知名设计大师深泽直人操刀，号称是工业设计天花板。而随着发布时间的日益临近，外界关于该机的爆料也更加密集。现在有最新消息，继外观设计之后，近日有数码博主进一步晒出了该机在核心配置上的更多细节。
据知名数码博主@数码闲聊站最新发布的信息显示，与此前曝光的消息基本一致，全新的RealMe GT2大师探索版将会首发一项新的充电技术，该技术将在手机端和充电头两边都使用GaN（氮化镓），配合100W的快充，该机可以在25分钟左右就将5000MAh的大电池充满。值得注意的是，该机的机身重量还不到200g，是目前唯一一款在200g以内塞进5000MAh大电池的骁龙8+机型，充分兼顾了手感与快充续航体验。
其他方面，根据此前曝光的消息，全新的RealMe GT2大师探索版将采用一块6.7寸120Hz高刷AMOLED屏，并且依然将采用居中单孔的超窄边框设计方案，分辨率为2412×1080，刷新率为120Hz。机身背部，该机将采用环保素皮设计，手感细腻，并且还有金属铆钉装饰，配合硬箱造型的直角金属中框，辨识度拉满。此外，该机将搭载高通骁龙8+旗舰处理器，后置50MP+50MP+2MP的三摄相机模组。
据悉，全新的RealMe GT2大师探索版将于7月12日登场，而除了大师探索版外，该机还有玻璃版本可供选择，RealMe副总裁徐起称这是工业设计天花板。更多详细信息，我们拭目以待。
