4 20日，内存芯片短缺预计将持续至2027年前。美国和韩国主要厂商正在扩产DRAM，但提产速度仅能覆盖约60%的市场需求。
中东局势动荡正在推高电力与原材料成本，进一步增加行业供给前景的不确定性。
三星电子计划在今年启用韩国平泽园区第四座晶圆厂，但全面量产预计要到2027年或更晚。同时，该工厂还将生产逻辑芯片，限制了其内存产能的扩张空间。
正在建设中的第五座工厂将聚焦高带宽内存（HBM），即用于人工智能芯片的高性能DRAM，但预计要到2028年或更晚才会投产。
三星内存业务负责人金在俊表示，行业整体产能扩张受到限制，今年至2027年的供给增长将较为有限。
SK海力士已于2月在清州投产一座HBM工厂，这是包括美光的三大厂商中唯一能够在今年带来新增供应的项目。同时，公司正在加快推进龙仁新厂建设，计划在2027年2月完工，比原计划提前三个个月。
SK集团会长崔泰源指出，受晶圆短缺及短期扩产难度限制，AI内存存紧张可能持续至2030年。
美光计划在2027年于美国爱达荷州和新加坡启动HBM生产，并将于5月在日本广岛建设新厂，目标在2028年实现量产。此外，公司已于1月决定收购力积电的一座工厂，该工厂预计将在2027年下半年推出。
三星、SK海力士和美光目前占据全球约90%的DRAM市场份额，也是几乎唯一具备HBM生产能力的厂商。
近年，三家公司将重心转向HBM，推迟通用内存扩产，导致自2025年秋季起供应趋紧。今年第一季度内存价格预计环比上涨约90%。
Countepoint测算，若要缓解短缺，行业需在2027年前实现约12%的年产能增长，但现有扩产计划仅为约7.5%。研究总监黄敏秀表示，供需关系预计要到2028年才会恢复正常。
在AI需求持续增长的背景下，即便新产能逐步投产，供需紧张是否能迅速缓解仍存在不确定性，因为先进内存工厂提升良率需要时间。
当前约80%至90%的内存芯片用于PC、智能手机和服务器，其余用于汽车及工业设备。IDC预计，今年智能手机销量将下降13%。
与此同时，内存在低端智能手机中的成本占比已达约20%，预计到今年年中将接近40%。利润空间被压缩，手机厂商可能减少产量，汽车零部件厂商也面临内存供应不足的问题。