据美国政府官方声明，台积电已与美国商务部达成不具束缚力的初步谅解备忘录。
台积电方面将在亚利桑那州凤凰城建设第三座在美晶圆厂，而美国政府方面将根据《芯片法案》向台积电的三座工厂提供至多 66 亿美元的直接资金补贴。
除直接补贴外，美国政府还计划根据初步协议为台积电的晶圆厂建设提供约 50 亿美元的贷款。
台积电也在准备向美国财政部申请相当于认证资本支出 25% 的投资税收抵免。
台积电方面承诺将在本十年底前建设第三座晶圆厂，进而在亚利桑那州打造一个前沿半导体集群。
台积电在美的整体投资将超 650 亿美元，可在十年间为亚利桑那州当地创造 6000 个直接工作岗位和数以万计的间接岗位，此外还有累计超 20000 个的相关建筑业岗位。
美方还计划将 5000 万美元的《芯片法案》资金用于当地建筑和半导体行业劳动力的培训和发展。
台积电表示其第一座在美晶圆厂将提供 4nM FinFET 产能，目标 2025 年上半年启动量产；而其第二座在美晶圆厂将在 3nM 工艺外再引入 2nM GAA 工艺；未来的第三座晶圆厂则将根据用户需求提供 2nM 乃至更先进的制程。
此前英特尔也与美国商务部签署了类似的谅解备忘录，涉及至多 85 亿美元直接补贴和 110 亿美元贷款。