如今，光刻机一直限制着国产芯片的发展，为了突破限制，国家正在大力推进光子芯片，其原理跟硅芯片不同，运算速度可提升1000倍以上，而且不依赖先进的光刻机，比如EUV光刻机，因此是各国争相发展的新一代信息科技。
近日有消息称，国内首条“多材料、跨尺寸”的光子芯片生产线已在筹备，预计将于2023年在京建成，可满足通信、数据中心、激光雷达、微波光子、医疗检测等领域需求，有望填补我国在光子芯片晶圆代工领域的空白。
据悉，光子芯片是光电子器件的核心组成部分，与集成电路芯片相比存在多处不同。例如：从性能而言，光子芯片的计算速度较电子芯片快约1000倍，且功耗更低。
从材料而言，InP、GaAS等二代化合物半导体是光子芯片更为常用的材料，而集成电路一般采用硅片。从制备而言，光子芯片的制备流程与集成电路芯片存在一定相似性，但侧重点在于外延设计与制备环节，而非光刻环节。
