据外媒报道，三星将在其即将推出的Galaxy S23系列智能手机上主要使用高通SnapdRagon 8 Gen 2应用处理器（AP）。消息人士称，因三星4纳米晶圆代工良率及性能未达预期，其Exynos平台将使用5纳米节点制造。
据了解，三星曾试图通过提供5纳米和4纳米节点来扩大其Exynos平台的市场份额。但到目前为止，4纳米节点版本的良率非常低，其性能和发热问题不达标。因为这个问题，三星逻辑设计部门正计划使用5纳米节点制造其下一代Exynos系列，或被称为Exynos 2300。
另一方面，高通的SnapdRagon 8 Gen 2使用台积电的4纳米节点制造，这意味着与5纳米 Exynos 2300相比，它将具有更好的整体性能。因此三星被迫选择SnapdRagon 8 Gen 2作为S23系列的主要AP，Exynos芯片改用于中端机型。
三星芯片负责人Kyung Kye-hyun在9月承认，与竞争对手台积电相比，该公司在5纳米和纳米节点的进度和良率方面落后。
据熟悉三星事务官员的说法，三星4纳米良率接近60%，能确保客户流入与增加获利能力。业内人士指出，三星4纳米制程扩展，代表三星接到客户订单。另外，三星扩产4纳米制程，加上抢先为全球第一个量产3纳米制程的优势，也有助拉近与台积电的差距。