美光近日宣布已开始量产其 HBM3E 高带宽内存解决方案。英伟达 H200 TensoR CoRe GPU将采用美光8层堆叠的24GB容量 HBM3E 内存，并于2024年第二季度开始出货。
美光 HBM3E 引脚速率超过9.2Gb/s，提供超过1.2TB/s的内存带宽，美光 HBM3E 功耗比竞品低约30%，美光 HBM3E 目前提供24GB容量，使数据中心能够无缝扩展其人工智能应用。
此外，美光将于2024年3月出样12层堆叠的36GB容量 HBM3E，提供超过1.2TB/s 的性能。同时，美光将赞助3月18日开幕的英伟达 GTC 全球人工智能大会，届时将分享更多前沿 AI 内存产品系列和路线图。
