这两天IBM首发2nM工艺芯片的消息刷屏了，在当前的半导体环境下，这件事意义确实重大，因为最近几年领导先进工艺的是台积电，IBM首发2nM工艺给美国公司赢回了面子。
IBM 2nM工艺的基本情况昨天都报道过了，使用了GAA环绕栅极晶体管技术，密度可达3.33亿晶体管/MM2，几乎是台积电5nM的两倍，也比外界预估台积电3nM工艺的2.9晶体管/MM2要高，指甲盖大小的芯片就有500亿晶体管。
不过仔细算算的话，IBM 2nM工艺的晶体管密度优势没有多大，最终比台积电3nM工艺领先多少还不好说，毕竟后者也有2nM GAA工艺没发。
性能方面，IBM表示他们的2nM工艺在同样的电力消耗下，其性能比当前7nM高出45%，输出同样性能则减少75%的功耗。
还有一些细节，那就是IBM的2nM工艺的纳米片为3层堆栈，高度75nM，宽度40nM，栅极长12nM，纳米片高度5nM&Mdash;&Mdash;里面没有一个参数是2nM的，因为2nM的命名还是沿用了传统2D晶体管的标准。
在台积电的2nM工艺还在研发阶段没有公布技术细节的情况下，IBM这次在美国的实验室率先推出了2nM技术是很有象征意义的，美国现在也在努力夺回半导体工艺领先地位，IBM的2nM工艺给了信心。
不过IBM量产2nM工艺的难度也不小，因为现在这个技术还是实验室生产的，IBM没有大规模生产的条件了，这次2nM工艺还有三星、Intel的参与，后面两家有可能吸收2nM工艺技术（至少是部分）。
根据IBM的说法，2nM工艺预计在2024年量产，这个时间点正好卡在台积电2nM工艺量产的范围内。