SK海力士于当地时间8日，在美国加利福尼亚州圣克拉拉举办了“2023闪存峰会”，公布了321层1Tb TLC 4D NAND闪存开发的进展，并展示了现阶段开发的样品。
作为业界首家公布300层以上NAND具体开发进展的公司，SK海力士宣布，将进一步完善321层NAND闪存，并计划于2025年上半期开始量产。
SK海力士相关负责人表示，公司正在有序进行321层NAND的研发，将再次突破堆栈层数，继续引领市场。
321层1Tb TLC NAND的效率比上一代238层512Gb提高了59%，数据存储的单元可以以更多的单片数量堆栈至更高，在相同芯片上实现更大存储容量，增加了单位晶圆上芯片的产出数量。
近期，随着Chat GPT引发的生成型AI市场的需求增长，高性能、高容量存储器需求也在急剧增加。
SK海力士还推出了针对这些需求而进行优化的下一代NAND产品解决方案：采用PCIe 5接口的企业级固态硬盘及UFS 4.0。
公司希望借助这些能够达到世界级领先性能的产品，满足客户的需求。
SK海力士表示，公司正在积极开发下一代PCI 6.0和UFS 5.0产品，以继续引领市场。
SK海力士NAND闪存开发担当副社长在发表主题演讲时表示，通过开发第五代4D NAND 321层闪存产品，巩固品牌在NAND技术领域的领先地位，推出人工智能时代所需的高性能、大容量NAND产品，继续引领行业。
