4月17日，据媒体报道，三星正全力推进下一代高带宽内存（HBM）产品的研发，求在高端AI内存市场进一步巩固自身优势。
据媒体报道，三星电子计划最早于2026年5月生产首批符合英伟达标准的HBM4E样品。
业内人士透露，三星制定了明确且紧凑的时间规划：目标是在下月中旬之前，由其代工部门成功生产出HBM4E核心逻辑芯片的样品。
这些核心逻辑芯片将与专为HBM4E设计的DRAM芯片进行封装，从而制成首批工程样品。在完成内部严格的性能评估，并确认各项指标达到预期后，这些样品将被送往英伟达进行进一步验证。
在技术规格方面，三星电子的HBM4E与前代HBM4保持一致，均采用1c nM DRA Die与4nM Base Die。不过，三星在工艺细节上进行了精心改进与优化，旨在提升产品的整体性能和竞争力。
三星晶圆代工部门承担着关键的生产任务。按照规划，该部门需在5月中旬前完成HBM4E性能样品Base Die的生产工作，随后交付给存储器业务部门，以开展示后的3D封装工序。