台积电近日举办技术研讨会，表示其 3nM 工艺节点已步入正轨，N3P 节点将于 2024 年下半年投入量产。
N3P 基于 N3E 工艺节点，进一步提高能效和晶体管密度。台积电表示 N3E 节点良率进一步提高，已经媲美成熟的 5nM 工艺。
台积电高管表示 N3P 工艺目前已经完成质量验证，其良品率可以接近于 N3E。作为一种光学微缩工艺，N3P 在 IP 模块、设计规则、EDA 工具和方法方面兼容 N3E，因此台积电表示整个过渡过程非常顺利。
N3P 的关键优势在于其带来的增强规格。与 N3E 相比，芯片设计人员可以期待在相同功耗下性能提升约 4%，或在匹配时钟下功耗降低约 9%。对于由逻辑、SRAM 和模拟元件组成的典型芯片设计，晶体管密度也提高了 4%。