7月8日消息，基础半导体器件领域的高产能生产专家NexpeRia宣布推出采用超小DFN封装的新系列20 V和30 V MOSFET DFN0603。NexpeRia早前已经提供采用该封装的ESD保护器件，如今更进一步，NexpeRia成功地将该封装技术运用到MOSFET产品组合中，成为行业竞争的领跑者。
新一代可穿戴设备和可听戴设备正在融入新的人工智能(AI)和机器学习(ML)技术，这为产品设计带来了若干挑战。首先，随着功能的增加，可供使用的电路板空间变得十分宝贵，另外，随着功耗的增加，散热也成为一个不容忽视的问题。
NexpeRia作为分立器件生产行业领导者，凭借数十年经验的沉淀，设计出这一超小尺寸的创新型MOSFET系列，成功地克服了这两个问题。超薄型DFN0603封装，尺寸仅为0.63 x 0.33 x 0.25 MM，比第二小封装(DFN0604)的MOSFET使用的空间少13%。令人惊叹的是，这种尺寸上的缩小毫不影响器件性能，事实上，这些MOSFET的RDS(on)减少了74%，这有助于提高效率，从而使可穿戴设备设计师能够实现更大的功率密度。
该新系列小型MOSFET包括：
PMX100UN 20 V，N沟道TRench MOSFET
PMX100UNE 20 V，N沟道TRench MOSFET，带2kV ESD保护(HBM)
PMX300UNE 30 V，N沟道TRench MOSFET
PMX400UP 20 V，P沟道TRench MOSFET
据悉NexpeRia计划于2022年下半年为该系列再增加两款MOSFET。