三星的晶圆代工部门最近负面不断，此前有消息称部分员工涉嫌伪造和虚报5nM、4nM、3nM工艺制程的良品率，以致于高通这样的VIP客户都要出走，重新使用台积电生产骁龙8处理器。
不过从技术上来说，三星现在依然是唯一能紧追台积电的晶圆代工厂，虽然在7nM、5nM及4nM节点上落后了一些，但在接下来的3nM节点三星更激进，要全球首发GAA晶体管工艺，放弃FinFET晶体管技术，而台积电的3nM工艺依然会基于FinFET工艺。
三星之前表示，GAA是一种新型的环绕栅极晶体管，通过使用纳米片设备制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多桥-通道场效应管），该技术可以显著增强晶体管性能，主要取代FinFET晶体管技术。
根据三星的说法，与7nM制造工艺相比，3nM GAA技术的逻辑面积效率提高了45%以上，功耗降低了50%，性能提高了约35%，纸面参数上来说却是要优于台积电3nM FinFET工艺。
当然，这些还是纸面上的，三星的3nM工艺挑战也不少，光是量产就是个问题，之前三星宣传2021年就量产，实际上并没有，最快也是今年，而且首发的是3GAE低功耗工艺，高性能的3GAP工艺至少要2023年了。
据韩国媒体报道，三星已经准备在韩国平泽市的P3工厂开工建设3nM晶圆厂了，6、7月份动工，并及时导入设备。
按照这个进度，今年的3GAE工艺应该也只会是小规模试产，大规模量产也要到明年了，跟台积电的3nM工艺差不多，两家都因为种种问题延期量产3nM工艺了。