高通已开始在其旗舰智能手机芯片骁龙8 Gen 1芯片中使用4nM工艺，现在该公司正准备将这一新工艺用于即将推出的可穿戴设备芯片。即将推出的高通骁龙WeaR5100和骁龙WeaR 5100+ 预计将使用4nM工艺节点制造，与当前一代芯片相比，这将带来更好的性能。目前的骁龙WeaR4100芯片是使用12nM工艺节点制造的，而骁龙WeaR 3100是使用28nM节点制造的。
据报道，三星代工厂将制造这些新芯片，但它们也将被其他智能手机制造商使用。值得注意的是，骁龙8 Gen 1 芯片也由三星使用新的 4nM 工艺节点制造。
WeaR 5100 和 5100+ 之间的区别就在于封装。骁龙WeaR 5100将分离 SoC 和电源管理集成电路 (PMIC)。
另一方面，骁龙WeaR 5100+将采用所谓的模塑嵌入式封装 (MEP)，所有东西都封装在一起。据说它还拥有来自ARM的心率和跌倒检测技术，并提供改进的触觉。
据说这两种版本都有四个运行频率为 1.7GHz 的 CoRtex-3 内核以及运行频率为 700MHz的 AdREno702 图形处理器。它们将支持高达 4GB 的 LPDDR4X RAM 和 eMMC 5.1 存储。