新思科技近日宣布，其SiliconSMaRt库特性表征解决方案获得台积公司N5、N4及N3制程工艺技术认证。SiliconSMaRt解决方案是新思科技FUSion设计平台的一部分，功能得到增强，以支持先进工艺节点下单元库特性表征，并加快5G、高性能计算、人工智能、汽车、物联网等应用实现数字化进程的速度。
台积公司设计基础设施管理事业部副总经理Suk Lee表示：台积公司在先进工艺技术上认证SiliconSMaRt库特性表征解决方案，将协助我们的共同客户更快实现基于台积公司N5、N4和N3设计的签核准确性并加快其产品上市时间。我们与新思科技的长期合作，再次助力开发者满足严格的功耗和性能要求，并快速将具有差异化的产品推向市场。
先进工艺节点对计算的需求不断提升，因此针对更多复杂系统建模的库数据准确性变得至关重要。与此同时，在数以万计的内核上有数百个PVT角，库特性表征的规模成倍增加，而综合、布局布线、验证及签核工具则依赖于精确模型库来准确表示数字和存储器设计的时序、噪声和功率性能。
SiliconSMaRt核心引擎可提供全面的库特性表征以及优质的验证能力，用于生成新思科技PRiMeTiMe签核品质库。由于先进节点工艺下流程的可变性，在时序效应建模时要求速度和准确性并存，SiliconSMaRt技术可利用黄金标准SPICE引擎，加快表征PRiMeTiMe静态时序分析解决方案所使用的高级LibeRty模型，从而准确衡量超低压FinFET工艺下影响时序的因素。该解决方案支持业界标准的高级模型，包括LVF。
新思科技芯片实现事业部高级副总裁Jacob Avidan表示：客户转向更先进的工艺节点时，不但计算需求会增加3倍，还要面对更大的PVT组合挑战。我们的SiliconSMaRt特性表征解决方案及其核心引擎可提供高品质、可扩展的解决方案，帮助客户成功应对设计挑战。该认证是我们与台积公司在先进制程工艺方面持续合作的成果，以准确及高性能技术，协助共同客户提升性能和生产力，加速其芯片量产。