12 月 22 日消息，据意法半导体官微消息，该公司与理想汽车签署了一项碳化硅（SiC）长期供货协议。按照协议，意法半导体将为理想汽车提供碳化硅 MOSFET，支持理想汽车进军高压纯电动车市场的战略部署。
据介绍，意法半导体的碳化硅具有更高的开关频率、击穿电压和热阻，可以显著提高功率晶体管的性能和能效，这些特性在纯电车的高电压环境中非常重要。理想汽车即将推出的 800V 高压纯电平台将在电驱逆变器中采用意法半导体的第三代 1200V SiC MOSFET 技术。
理想汽车供应链副总裁孟庆鹏表示：
理想汽车致力于为家庭用户提供超预期的豪华电动车。本次与 ST 的 SiC 供货协议签署印证了理想汽车开发纯电动车产品的坚定决策。我们看好与全球碳化硅技术龙头 ST 的未来合作，这必将是一段创新和成功的合作关系。
意法半导体执行副总裁、中国区总裁曹志平表示：
意法半导体是全球功率半导体和宽禁带技术的龙头企业，也是多家知名汽车制造商和一级供应商的长期供货商。我们与理想汽车签署的碳化硅供应协议标志着双方在其他汽车应用的长期合作基础上，又迈出了重要一步。ST 承诺支持理想汽车成为中国高端新能源汽车龙头品牌，通过我们 SiC 创新技术为用户提供卓越的汽车性能和续航里程。
据此前报道，在今年 6 月举行的理想汽车召开理想家庭科技日发布会上，理想汽车发布了 800V 高压平台 5C 电池，充电峰值功率超过 500kw，9 分 30 秒续航 400 公里，充电 22 分钟续航 600 公里；5C 快充采用低内阻电芯，产热降低 30％。
理想汽车还宣布，2023 年底前完成建设 300 + 个超级充电站，2025 年完成建设 3000 + 个超充站。2025 年，超充站点之间平均间隔 100 公里，单个站点每小时可以服务 9-20 辆车。