11月19日消息，近日赛晶科技子公司 -赛晶亚太半导体科技有限公司（以下简称“赛晶半导体&Rdquo;）自主研发的IGBT芯片，完成了首次批量订单交付。这标志着使用赛晶i20技术的IGBT芯片，已经获得市场的认可，开始进入批量销售阶段。
这款赛晶自主研发的IGBT芯片，额定电压为1200V，额定电流为250A。使用目前主流的FS-TRench结构，并在设计中进行了N型增强、窄台面、短沟道、超薄基底、优化P+、3D结构等多项优化，带来了高达250A电流和175℃最大工作结温的卓越性能。
在最新测试中，以i20 IGBT芯片为核心的模块产品，自1500A（模块额定电流750A的2倍）开始，在超过2000A（接近额定电流的3倍）时仍然稳定工作，表现出了极佳的安全性、耐用性。