安森美半导体推出业界首款专用临界导通模式图腾柱PFC控制器，这是该公司超高密度离线电源方案集的新成员。
在传统的PFC电路中，整流桥二极管在240 W电源中的损耗约4 W，占总损耗的20%左右。PFC级的能效通常为97%，LLC电路实现类似的性能。用”图腾柱”配置的开关取代有损耗的二极管，并拉入升压PFC功能，可减少电桥损耗，提高整体能效。NCP1680可适用于任何开关类型，无论是超级结硅MOSFET还是碳化硅或氮化镓等宽禁带开关。
新的NCP1680 CRM图腾柱PFC控制器采用新颖的电流限制架构和线路相位检测，结合经验证的控制算法，提供高性价比的图腾柱PFC方案，不影响性能。该IC的核心是内部补偿数字环路控制。该创新器件采用含谷底开关的恒定导通时间CRM架构。由于内置非连续导通模式，在频率返走工作期间谷底同步导通，满足现代能效标准。
该高度集成的器件可使电源设计在通用电源下以高达350 W的建议功率水平工作。在230 V电源输入下，基于NCP1680的PFC电路能够在300 W实现近99%的能效。在外部只需几个简单的器件即可实现全功能图腾柱PFC，节省空间和器件成本。进一步减少器件数，实现逐周期电流限制，无需霍尔效应传感器。
NCP1680采用小型SOIC-16封装，也可作为评估平台的一部分，支持快速开发和调试先进的图腾柱PFC设计。
根据图腾柱开关技术中，包括了高速半桥和低速半桥两路，其中在高速半桥上，NCP1680可与NCP51820半桥GaN高电子迁移率晶体管门极驱动器或NCP51561隔离型SiC MOSFET门极驱动器一起使用
NCP51561是隔离型双通道门极驱动器，具有4.5 A源电流和9 A灌电流峰值能力。新器件适用于硅功率MOSFET和基于SiC的MOSFET器件的快速开关，提供短且匹配的传播延迟。两个独立的5 kVRMS电隔离门极驱动器通道可用作两个下桥、两个上桥开关或一个半桥驱动器，具有可编程的死区时间。一个使能引脚将同时关断两个输出，NCP51561提供其他重要的保护功能，如用于两个门极驱动器的独立欠压锁定和使能功能。
安森美半导体提供阵容广泛的SiC MOSFET，比硅MOSFET提供更高能效。低导通电阻和小巧的芯片尺寸确保低电容和门极电荷，提高功率密度。安森美半导体已发布采用TO-247-4L和D2PAK-7L封装的650 V SiC MOSFET，并将继续猛增该产品系列。此外，安森美半导体提供完整的硅基650 V SUPERFET&Reg; III MOSFET产品组合。