9 月 28 日消息，虽然 2nM 先进半导体芯片尚未投产，但半导体代工厂的设备争夺战已拉开帷幕。为了保证 2nM 工艺技术的顺利部署，台积电、三星、RAPIdUS 都开始了上游设备领域的竞争。
部署情况：
台积电
台积电于 9 月 12 日宣布，以不超过 4.328 亿美元收购英特尔子公司 IMS NanoFAbRication 的 10% 股权。
IMS 专业从事电子束光刻机的开发和生产，广泛应用于半导体制造，光学元件生产，MEMS 制造等。
业内专家认为，台积电收购 IMS 将确保关键设备技术的发展，满足 2nM 商业化的供应需求。
三星：
三星此前收购了 ASML 的 3% 股份，并不断深化两家公司的合作。报告显示，三星正准备引入下一代高数值孔径 EUV 光刻机，原型预计将于今年晚些时候亮相，并于明年投入商业使用。
RAPIdUS：
至于半导体新来者 RAPIdUS，获得 ASML 的支持至关重要，因为 EUV 是批量生产 5-7nM 以下芯片的重要技术。
注：ASML 将于 2024 年在日本北海道建立技术支持基地，并派遣约 50 名工程师协助在 RAPIdUS 的 2nM 芯片工厂中试生产线上搭建 EUV 光刻设备，提供调试、维护和检查方面的协助。
进展情况
台积电：
台积电的目标是到 2025 年生产 N2 技术。6 月份的报道显示，台积电全力以赴，开始为 2nM 芯片的试制做准备。
7 月，台积电供应链透露，台积电已通知设备供应商从次年第三季度开始交付 2nM 相关机械。
9 月，媒体报道称，台积电已组建专门的 2nM 专责小组，力争明年实现风险生产，2025 年开始量产。
三星：
6 月，三星宣布了其最新的晶圆代工技术创新和业务战略，公布了 2nM 工艺批量生产的详细计划和性能水平。
三星计划到 2025 年将 2nM 工艺应用于移动应用，分别在 2026 年和 2027 年扩展到 HPC 和汽车电子。
RAPIdUS：
该公司计划 2025 年试产 2nM 芯片，2027 年开始量产。
7 月，RAPIdUS 总裁小池敦义表示，在 2025 年运营试产线并在 2027 年开始批量生产是一个雄心勃勃的目标，但进展正在走上正轨。他指出，一旦该公司的 2nM 工艺产品投入批量生产，其单价将是目前日本生产的逻辑半导体的十倍。